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在这项研究中，全国制造了基于A-CNT薄膜的增强模式FET。此外，机关CNTFET和IC在辐射环境中的应用引起了相当多的关注，因为它们具有较小的横截面、纳米级的强C-C键以及半导体通道的低原子序数。

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